特許

J-GLOBAL ID：200903071603059344

歪層量子井戸レーザを含む製品

発明者： ヤング-カイ チェン ,  マーリス アルフォンソ チン ,  ジェン-ミン クオ ,  アーサー マイク サージェント ,  ミン-チアン ウー
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318049
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226789
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 本発明は歪層量子井戸(QW)半導体レーザ及びそのようなレーザを含む製品に係る。【構成】 ほぼ0.87-1.1μm の波長領域に放射波長を有するGaAsを基礎とした自己整合レーザ(10)が明らかにされている。レーザは歪層QWレーザで、容易に作製される。本発明のレーザの好ましい実施例は、Alを含んだ半導体合金を含まない。本発明に従うレーザは、たとえばEr-ドープファイバ増幅器用の0.98μm ポンピング源として用いると有利である。

請求項（抜粋）：

波長λの電磁放射を放出するのに適したGaAsを基礎とした自己整合半導体レーザ(10)を含み、レーザは半導体基板(11)、基板上の複数のエピタキシャル半導体層、接触手段間で電流を流すための第1及び第2の接触手段(20,21)を含み、複数の半導体層は順に、第1の伝導形を示すようにドープされた第1の半導体層(12)(“第1のクラッド層”とよぶべき)、本質的にアンドープの第2の半導体層(13)(“活性層”とよぶべき)、第2の伝導形を示すようにドープされた第3の半導体層(14)(“第2のクラッド層”とよぶべき)及びパターン形成された第4の半導体層(16)(“阻止層”とよぶべき)を含み、阻止層材料の少くとも一部は、第1の伝導形を示すようにドープされ、阻止層は順方向バイアスレーザ動作条件下で、接触領域から前記第2のクラッド層を通り、前記活性層中に、荷電キャリヤが流れやすいようにするのに適した窓を規定するためにパターン形成され、前記阻止層は順方向バイアスレーザ動作条件下で、阻止層材料を貫き第2のクラッドに荷電キャリヤが流れるのを本質的に阻止するのに適した製品において、a)λは、0.87μm より大きく約1.1μm 以下であること、及びb)活性層は転位形成に付随した臨界厚tc より小さい厚さtを有し、2つの障壁層にはさまれた少くとも1つの量子井戸を含み、量子井戸材料の組成は、組成に付随した平衡格子定数が、障壁層材料に付随した平衡格子定数とは異るように選択されることを特徴とする製品。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/07 ,  H01S 3/094 ,  H01S 3/10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-250685
  
• 特開昭63-077186
  
• 特開平1-286482
  
• 特開平1-309391