特許
J-GLOBAL ID：200903071604484138
フェニルエチニルナフタレン誘導体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勝利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-187349
公開番号（公開出願番号）：特開2000-026342
出願日： 1998年07月02日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：
【要約】【課題】 粘性の低下、△nの増大、TN-Iの上昇等の効果に優れた誘導体であって、且つ△εの大きいp型液晶性化合物を提供し、これを用いて△nが大きく、液晶温度範囲は広く、Vthが低く低電圧駆動可能な液晶組成物、これを用いた表示素子を提供する。【解決手段】 一般式(I)【化1】(R:C数1〜10のアルキル基、Xa、Xb及びXc:H原子又はF原子)の液晶性化合物、これを含有する液晶組成物及びこれを用いた表示素子。
請求項（抜粋）：
一般式(I)【化1】(式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基を表し、Xa、Xb及びXcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表す。)で表されるフェニルエチニルナフタレン誘導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB64
, 4H006EA23
, 4H027BA01
, 4H027BC04
, 4H027BD01
, 4H027BD02
, 4H027BD03
, 4H027BD04
, 4H027BD07
, 4H027BD08
, 4H027BD09
, 4H027CT04
, 4H027DK04
