特許

J-GLOBAL ID：200903071612039810

多孔質体への薄膜の形成方法

発明者： 河野 謙司 ,  横川 弘 ,  横山 勝
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-088883
公開番号（公開出願番号）：特開2001-279471
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】【課題】 多孔質体の表面に薄膜を均一に形成することができる多孔質体への薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 多孔質体1の表面に厚み0.1μm以下の第一の薄膜2を転写して形成する。次にこの第一の薄膜2の表面に第二の薄膜3を形成する。多孔質体1の表面を第一の薄膜2で平滑化することができ、平滑化した表面に均一に第二の薄膜3を形成することができる。

請求項（抜粋）：

多孔質体の表面に厚み0.1μm以下の第一の薄膜を転写して形成し、この第一の薄膜の表面に第二の薄膜を形成することを特徴とする多孔質体への薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 28/00 ,  C01B 33/159 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/12

FI (4件)：

C23C 28/00 Z ,  C01B 33/159 ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/12

Fターム (23件)：

4G072AA28 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072CC08 ,  4G072FF01 ,  4G072GG03 ,  4G072NN11 ,  4G072UU03 ,  4K029AA08 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BA62 ,  4K029BC07 ,  4K029BD09 ,  4K029CA05 ,  4K029FA07 ,  4K044AA11 ,  4K044AA12 ,  4K044BA10 ,  4K044BA12 ,  4K044BA21 ,  4K044BB03 ,  4K044CA13