特許

J-GLOBAL ID：200903071614258969

Cu配線形成方法及び装置

発明者： 木村 憲雄
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-092136
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286231
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハ等の基板上に形成されたCu層を均一に除去し、基板面上に形成された微細溝及び/又は微細孔に形成されたCu配線部をディッシングを生ずることなく平坦かつ均一に形成できるCu配線形成方法及び装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1上の配線溝4にCu層6を形成するとともに配線溝4の形成されていない表面上にCu層6を形成した後に、配線溝4の幅より大きなサイズのバクテリア7を含有した培養液21に半導体基板1を接触させ、バクテリア7によって配線溝4に形成したCu層6を残して半導体基板1の表面上のCu層6を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の配線溝にCu層を形成するとともに配線溝の形成されていない表面上にCu層を形成した後に、前記配線溝の幅より大きなサイズのバクテリアを含有した培養液に前記半導体基板を接触させ、前記バクテリアによって配線溝に形成したCu層を残して半導体基板の表面上のCu層を除去することを特徴とするCu配線形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 ,  C12N 1/00 ,  C23F 1/14 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/306 F ,  C12N 1/00 P ,  C23F 1/14 ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 C ,  H01L 21/90 A

Fターム (27件)：

4B065AC20 ,  4B065CA55 ,  4B065CA60 ,  4K057WA13 ,  4K057WB04 ,  4K057WD03 ,  4K057WD10 ,  4K057WE30 ,  4K057WK01 ,  4K057WM01 ,  4K057WN02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM02 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ50 ,  5F033XX00 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043CC20 ,  5F043DD10 ,  5F043FF01 ,  5F043GG03