特許

J-GLOBAL ID：200903071616834584

シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ

発明者： 泉妻 宏治 ,  林 健郎 ,  茶木 勝弘 ,  鹿島 一日児 ,  岡村 康宏
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  徳山セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-229136
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097220
出願日： 1994年09月26日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 エピタキシャルウェーハにおいて、デバイス活性層はより無欠陥に、かつ基板部はIG処理することなしにBMDを高い密度で形成し十分なゲッタリング効果を奏することができるシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。【構成】 チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度[Oi]が1.80×1018atoms/cm3 以下のシリコンウェーハに400°C以上のイントリンシックゲッタリング用熱処理(ドナーキラーは除く)をしないで、成長前の800〜1000°Cの温度範囲において、(1)昇温速度を15°C/min以下にするか、または(2)任意の温度で5〜100min保持し、その上に成長温度1050〜1250°CでSi単結晶を成長する。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度[Oi]が1.80×1018atoms/cm3 未満のシリコンウェーハに800°C以上の熱履歴を与えずに、その上に成長温度1050〜1250°CでSi単結晶を成長したエピタキシャルウェーハを製造するにあたり、成長前の800〜1000°Cの温度範囲において、(1)昇温速度を15°C/min以下にするか、または(2)任意の温度で5〜100min保持することによって、基板ウェーハ内部の酸素析出密度[BMD]が、[BMD]≦1×1010個/cm3 、かつ[BMD]≧exp{1.151×10-17 ×[Oi]+1.151}個/cm3 であるエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-185831