特許
J-GLOBAL ID:200903071622992914
スパッタリングに高純度タンタルターゲットを使用した改善された銅用のタンタル含有バリヤー層
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 稔 (外9名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-582614
公開番号(公開出願番号):特表2002-530526
出願日: 1999年11月05日
公開日(公表日): 2002年09月17日
要約:
【要約】コンタミナントレベルの低いターゲットから、タンタル及び/又は窒化タンタルをスパッタ蒸着することにより、改善されたタンタル含有バリヤー層がえられる。即ち、重量比で30ppm以内の金属コンタミナント濃度、又は重量比で50ppm以内好ましくは10ppm以内のニオビウムと、重量比で10ppm以内のモリブテンと、重量比で10ppm以内のタングステンと、重量比で15ppm以内の金とである。これらの層を含む銅キャパシターの故障までのメジアン時間値は、コンタミナントを多く含む従来のタンタルターゲットを使用して作ったものより長い。
請求項(抜粋):
タンタル含有バリヤー層を作るために有用なスパッタリングチャンバ用タンタルターゲットにおいて、前記タンタルは、金属コンタミナントを少量のみ含むことを特徴とするタンタルターゲット。
IPC (3件):
C23C 14/34
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
FI (3件):
C23C 14/34 A
, H01L 21/285 S
, H01L 21/285 301 R
Fターム (8件):
4K029BD01
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4M104BB17
, 4M104BB32
, 4M104DD40
, 4M104FF17
, 4M104FF18
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