特許

J-GLOBAL ID：200903071624796748

半導体装置およびその製造方法

発明者： 新居 英明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298044
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118856
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】SOI基板上に形成される横形のバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ拡散層を単結晶シリコン中に形成しているため、ベースからエミッタへの少数キャリアの注入量が多く、高周波応答特性の劣化を引き起こしていた。本発明はこの課題を解決することを目的とする。【解決手段】単結晶シリコン3中にベース領域10を形成する。更に、ベース電極の側壁材12をマスクとして、ベース領域10をエッチング除去した後、ポリシリコン層を堆積し、N型の不純物を添加することにより、エミッタポリシリコン層14を形成する。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板上に第一の絶縁膜を形成し、この第一の絶縁膜上に単結晶シリコン層を形成し、この単結晶シリコン層上に、第二の絶縁膜を形成する工程と、前記単結晶シリコン層に不純物イオン注入を用いて第二導電型領域を形成する工程と、前記第二の絶縁膜を除去する工程と、前記第二導電型領域上に、多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜に不純物イオン注入により第一導電型の不純物を注入する工程と、前記多結晶シリコン膜上に第三の絶縁膜を形成する工程と、前記第三の絶縁膜を、前記第二導電型領域内のエミッタ部形成予定領域上方、ベース部形成予定領域上方、及びコレクタ部形成予定領域上方のみを残して除去する工程と、前記窒化膜表面の一部に第四の絶縁膜を形成する工程と、前記第三の絶縁膜の下方以外に位置する前記多結晶シリコン膜、前記第二導電型領域を除去する工程と、前記第四の絶縁膜の下方以外に位置する前記第三の絶縁膜、前記多結晶シリコン膜、及び前記第二導電型領域上部を除去する工程と、前記第二導電型領域、前記第三の絶縁膜、前記多結晶シリコン膜、前記第四の絶縁膜の露出した表面に第五の絶縁膜を形成する工程と、第一導電型の不純物イオン注入により、選択的に前記第二導電型領域内にベース領域を形成する工程と、前記第二導電型領域内に、第二導電型の不純物を選択的にイオン注入し、コレクタ領域を形成する工程と、前記第五の絶縁膜を除去する工程と、露出した、前記第三の絶縁膜側面、前記多結晶シリコン膜側面、前記第四の絶縁膜側面、前記ベース領域上の一部、前記第2導電型領域上の一部に、前記第六の絶縁膜を形成する工程と、前記第一の絶縁膜上、前記第二導電型領域上、前記第四の絶縁膜上、前記ベース領域上、前記コレクタ領域上、および前記第六の絶縁膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、選択性のある除去方法により、前記層間絶縁膜を開口部形成予定領域に従って除去し、前記第四の絶縁膜の一部、前記第六の絶縁膜の一部、層間絶縁膜側面、および前記ベース領域の一部を露出させた開口部を形成する工程と、選択性のある除去方法により、露出させた前記ベース領域の内、エミッタ部形成予定領域を、ほぼ垂直な前記ベース領域側面が形成できるように除去する工程と、前記エミッタ部形成予定領域、前記開口部に、第二導電型の不純物を注入した、多結晶シリコンから成る一定の膜厚のエミッタ電極を形成し、同時に、このエミッタ電極と隣接した前記ベース領域の一部をエミッタ領域として形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73

Fターム (20件)：

5F003AP00 ,  5F003AP05 ,  5F003AZ03 ,  5F003BA13 ,  5F003BB00 ,  5F003BB04 ,  5F003BB07 ,  5F003BE07 ,  5F003BF03 ,  5F003BF06 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM01 ,  5F003BN01 ,  5F003BP01 ,  5F003BP23 ,  5F003BP24 ,  5F003BP31 ,  5F003BP96 ,  5F003BS08