メッキ用シードパターン及び導電膜パターンの形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：東田潔 , 山下雅昭 , 打揚洋次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-365141
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200288
出願日： 2002年12月17日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】ポリシランパターン形成工程を必要としないメッキ用シードパターン及び導電膜パターン形成方法の提供。【解決手段】ナノインクを用いて、インクジェット法により、基板上にシードラインを描画し、加熱により溶剤及び分散剤を蒸発させて、メッキ用シードパターンを形成する。ナノインクの粘度は3〜20cps、その濃度は0.1〜15wt%(金属超微粒子)であり、基板として、その表面が予め粗面化処理(Rmax=20〜500nm)されたものを用い、基板温度を60〜100°Cに維持しながら描画する。得られたシードパターン上に無電解メッキにより導電膜パターンを形成する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Cu、Ag、Au及びPdから選ばれた金属の超微粒子、分散剤並びに有機溶媒を含むナノインクを用いて、インクジェット法により、直接、基板上にシードラインを描画し、加熱により該分散剤及び溶媒を蒸発させて、メッキ用シードパターンを形成することを特徴とするメッキ用シードパターン形成方法。

IPC (5件)：

H05K3/18 , C23C18/18 , G02F1/1343 , H01L21/027 , H05K3/10

FI (6件)：

H05K3/18 B , H05K3/18 K , C23C18/18 , G02F1/1343 , H05K3/10 D , H01L21/30 502D

Fターム (37件)：

2H092MA11 , 2H092MA12 , 2H092MA35 , 2H092NA27 , 4K022AA03 , 4K022AA04 , 4K022AA13 , 4K022AA32 , 4K022AA42 , 4K022BA01 , 4K022BA03 , 4K022BA08 , 4K022BA18 , 4K022BA35 , 4K022CA02 , 4K022CA09 , 4K022CA19 , 4K022CA20 , 4K022CA21 , 4K022CA24 , 4K022CA25 , 4K022DA01 , 5E343AA02 , 5E343AA26 , 5E343BB23 , 5E343BB24 , 5E343BB25 , 5E343BB71 , 5E343BB72 , 5E343DD12 , 5E343DD33 , 5E343ER21 , 5E343FF05 , 5E343GG01 , 5E343GG04 , 5E343GG11 , 5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

配線パターンの形成方法、回路基板の製造方法および遮光パターンの形成された透光体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-326114 出願人：森村ケミカル株式会社
導電膜パターン形成方法、及び導電膜パターン
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-035722 出願人：セイコーエプソン株式会社
メッキ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-051603 出願人：科学技術振興事業団, 凸版印刷株式会社, 株式会社野田市電子, 緒方工業株式会社, 株式会社熊防メタル

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