特許
J-GLOBAL ID：200903071626513212
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-003326
公開番号（公開出願番号）：特開平5-189988
出願日： 1992年01月10日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【構成】 各メモリセル1のMOSトランジスタ1bにキャパシタ1aと固定スイッチ回路1cとが接続された。【効果】 DRAMデバイス中の任意の領域に固定情報を予め記憶させたROM領域を設けることができるので、小型電子機器のメモリシステムを簡素化することができるようになる。
請求項（抜粋）：
他端が第1基準電位に接続されたキャパシタの一端を、対応するワード線にゲートが接続されたトランジスタのソース・ドレイン間を介して、対応するビット線に接続することにより構成されるダイナミック型のメモリセルを多数備えた半導体記憶装であって、各メモリセルのトランジスタとキャパシタとの間の接続点が、予め接続状態又は非接続状態を設定することができる接続可能手段を介して第2基準電位に接続されている、半導体記憶装置。
IPC (2件)：
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