特許
J-GLOBAL ID：200903071629222766
気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253517
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111245
出願日： 1993年10月12日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：
【要約】【目的】反応ガスを水平に流すMOCVD用気相成長装置において、成膜面への粉塵汚染防止のために下面側に基板を装着するサセプタを、簡易に、かつ反応ガスの流れを乱さないように保持することのできる装置構成を提供する。【構成】サセプタ2を下方から支える装置とする。この場合、装置構成の簡易化のため、支持手段に上下動手段を兼ねさせ、装置の生産性向上のため、サセプタ2を中心部で支持させ基板1の装着可能領域を広くして複数基板の同時処理を可能にし、膜質向上のため、サセプタ2を周辺部で支持させて流れに対するサセプタの平行保持,傾斜保持を容易にし、支持手段は支柱13または支持板としてサセプタ保持機構を低コスト化し、支持手段を支柱とするときには上端面に支持面を設けてサセプタの流れに対する平行保持を容易にし、あるいは回転駆動を可能として膜質,膜厚均一性向上を容易にし、さらには径を細くして装置の低コスト化,生産性向上を図る。
請求項（抜粋）：
反応ガスを反応炉容器の一端に設けられた反応ガス入口から導入し、反応炉容器内部に設置したほぼ方形断面流路をもつ内管内をほぼ水平方向に流し、前記内管の流路途中に設けた開口部に、下面を被成膜面とする被成膜基板を組み込んだサセプタを上下移動可能に取り付け、サセプタを加熱することにより前記被成膜基板に成膜を行う気相成長装置において、サセプタを下方から支持することを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
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