特許
J-GLOBAL ID：200903071631102638
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-301118
公開番号（公開出願番号）：特開2002-109708
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 CPP型のMR素子において能動領域を的確に規定し、さらに電極からの電流磁場の影響を、効果的に抑制し消失させるような構成を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置を提供することを目的とする。【解決手段】 センス電流が流れる部分の面積で、MR素子の能動領域を規定する。さらに、素子能動領域を規定する柱状電極あるいは柱状非磁性体を、真下のトラックからの信号だけを効率的に読み取るように、磁束の流れに沿うような断面形状とする。柱状電極からの電流磁場が無視できない場合、記録媒体からの磁束はある程度非対称にヨーク、MR素子磁化自由層に入る。これを見込んで柱状電極の断面を磁束の流れに沿うように非対称にすると、再生効率が向上する。
請求項（抜粋）：
磁化の方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化の方向が外部磁界に応じて変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に形成された非磁性中間層と、を備え、前記磁化固着層の前記磁化の方向と前記磁化自由層の前記磁化の方向との相対角度に応じて抵抗が変化する磁気抵抗効果素子であって、前記非磁性中間層の膜面積は、前記磁化固着層及び前記磁化自由層の膜面積よりも小さく、前記抵抗の変化を検出するためのセンス電流が、前記磁化固着層、前記非磁性中間層及び前記磁化自由層の膜面に対して略垂直方向に通電されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01F 10/32
, H01L 43/08
G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AC01
, 2G017AD55
, 5D034BA03
, 5D034BA08
, 5D034BA12
, 5D034BA18
, 5D034BB08
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049DB11
