特許
J-GLOBAL ID：200903071633539022
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257153
公開番号（公開出願番号）：特開2001-084172
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 情報処理装置が予め用意した配設数を超える数の増設を容易に行う半導体憶装置を提供する。【解決手段】 情報処理装置100の起動時に、制御信号入力端2aを介するコマンド制御信号2C及びライト制御信号2Wの入力に従って、データ入出力端3aを介してID設定コマンドが入力され、そのコマンドの入力を受けた前記ID制御部54は、接続信号入力端4bを介して前段のNAND型フラッシュメモリ10からID設定信号4が入力されているときにはIDを生成してIDレジスタ55に格納する。
請求項（抜粋）：
情報処理装置が接続されるデータ入出力端と、前記情報処理装置に接続される前段の半導体記憶装置から接続信号が入力される接続信号入力端と、前記情報処理装置に接続される後段の半導体記憶装置へ接続信号を出力する接続信号出力端と、選択信号が入力され読み出し有効、或いは書き込み有効となった後に、前記データ入出力端を介してデータが読み出され、或いはデータが書き込まれる記憶装置本体と、前記接続信号入力端への前記接続信号の入力に応答して前段の半導体記憶装置からの接続信号とは異なる固有の識別情報を生成して格納するとともに、その識別情報を前記接続信号出力端から出力する制御部であって、前記データ入出力端から入力された記憶装置選択信号と格納された前記識別情報とが一致したときに前記記憶装置本体に前記選択信号を出力する制御部とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。
Fターム (3件)：
5B060MM06
, 5B060MM12
, 5B060MM15
