特許

J-GLOBAL ID：200903071636034541

集積回路装置およびその製造方法

発明者： 市川 雅章
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058624
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267470
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 集積回路装置、特に、多層配線の相互接続用スルーホールに特徴を有する集積回路装置およびその製造方法に関し、複数の配線層のスルーホールを集中してスタックした層間接続部において、スルーホール内の配線層の表面を浅くして段差を小さくし、配線層の断線等が生じないようにする。【構成】 半導体基板1あるいは下層配線層2の上に、複数の下層スルーホール4からなる下層スルーホール領域5を有する下層絶縁層3を形成し、その上に下層スルーホール領域5の下層スルーホール4を通して前記基板1あるいは下層配線層2と接続され、表面が実質的に平坦な中間配線層6を形成し、その上に1個あるいは複数のスルーホールからなる上層スルーホール領域8を有する上層絶縁層7を形成し、その上に上層スルーホール領域8を通して中間配線層6と接続される上層配線層9を形成する。

請求項（抜粋）：

基板あるいは下層配線層と、該基板あるいは下層配線層の上に形成された複数のスルーホールからなる下層スルーホール領域を有する下層絶縁層と、該下層絶縁層の上に形成され、該下層スルーホール領域のスルーホールを通して該基板あるいは下層配線層と接続される表面が実質的に平坦な中間配線層と、該中間配線層の上に形成された1個あるいは複数のスルーホールからなる上層スルーホール領域を有する上層絶縁層と、該上層スルーホール領域を通して中間配線層と接続される上層配線層を有することを特徴とする集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H05K 3/46

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-188957
  
• 特開昭59-169154
  
• 特開平2-187051
  
• 特開平3-001538