SiNxOyCz膜及び薄膜の成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：柳瀬睦肇 , 渡部温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-097764
公開番号（公開出願番号）：特開2006-274390
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】透明性を向上させたSiNxOyCz膜、及び成膜速度を向上させた成膜方法を提供する。【解決手段】SiNxOyCz膜は、x、y及びzそれぞれが下記式(1)〜(3)の範囲である有機EL素子の保護膜。 0.2<x<1.5 ・・・(1) 0.3<y<0.8 ・・・(2) 0.03<z<0.4 ・・・(3)このSiNxOyCz膜は、400nm〜800nmの波長光で95%以上の透過率を有することが可能である。この膜は、1ターンのコイルにICP出力を印加して発生させた誘導結合プラズマによって原料ガスを分解するCVD法を用いて成膜されたものであることが好ましい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

x、y及びzそれぞれが下記式(1)〜(3)の範囲であることを特徴とするSiNxOyCz膜。 0.2<x<1.5 ・・・(1) 0.3<y<0.8 ・・・(2) 0.03<z<0.4 ・・・(3)

IPC (5件)：

C23C 16/42 , C01B 21/082 , H01L 21/318 , H05B 33/04 , H01L 51/50

FI (5件)：

C23C16/42 , C01B21/082 K , H01L21/318 Z , H05B33/04 , H05B33/14 A

Fターム (20件)：

3K007AB12 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA48 , 4K030CA02 , 4K030DA03 , 4K030FA04 , 4K030JA06 , 4K030LA18 , 5F058AH10 , 5F058BC12 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ03

引用特許：

出願人引用 (1件)

誘導結合型CVDを使用した有機EL用素子成膜装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-082229 出願人：株式会社セルバック

審査官引用 (9件)

特許第6462371号
透明導電フィルム及びタッチパネル
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-178811 出願人：株式会社ブリヂストン
特開昭55-164072

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