特許

J-GLOBAL ID：200903071645909879

SOI 基板の製造方法

発明者： 石山 俊彦 ,  永瀬 雅夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234415
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094688
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】比較的短時間で、欠点のない、平坦性に優れた単結晶シリコン層-絶縁層界面を有する SOI 基板を得ることができる製造方法を提供すること。【構成】上記目的は、単結晶シリコン基板1に酸素イオン3を注入した後に、熱処理を行うことによって二酸化シリコンの絶縁層7を形成し、次いで熱酸化又は化学処理を施すことによって該基板の単結晶シリコン層5を薄層化し、さらに熱処理を加えることによって単結晶シリコン層5と二酸化シリコン層7との界面の平坦性を向上させることを特徴とする SOI 基板の製造方法とすることによって達成することができた。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板に酸素をイオン注入した後に、熱処理を行うことによって二酸化シリコン層を形成し、次いで熱酸化又は化学処理を施すことによって該基板の単結晶シリコン層を薄層化し、さらに熱処理を加えることによって単結晶シリコン層と二酸化シリコン層との界面の平坦性を向上させることを特徴とする SOI 基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 J