分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-292851
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196798
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 DFBレーザの共振器内の軸方向光強度分布を均一にすることにより空間的ホールバーニングを低減し、電流-光出力特例の直線性を改善し、優れた歪特性のアナログ光通信用DFBレーザを実現する。【構成】表面に回折格子4を有するn-InP基板1上に中央に開口部をもち共振器方向の中央部で幅が狭く、端面部で幅の広いSiO2 マスクを形成し、MOVPE選択成長により、n-InGaAsP光ガイド層2を選択成長する。SiO2 パターン幅の広い部分はInGaAsPの組成は長波長に、パターン幅の狭い分は短波長になるので、光ガイド層の屈折率は共振器の両端部で大きく中央部分で小さくなる。従って回折格子の結合係数κは共振器の両端で大きく、中央部分で小さくなる。この後SiO2 マスクを除去し、活性層3を有するDH構造を形成し、DFBレーザを製作する。

請求項（抜粋）：

少なくとも光ガイド層と、活性層とグレーティングとを有し、前記光ガイド層のバンドギャップ波長が、共振器方向で中央部分から共振器端面に近づくにつれて長波長となっていることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。

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