特許
J-GLOBAL ID：200903071650568346
多層パターン形成方法および電子部品
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-191896
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041634
出願日： 1996年07月22日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 多層配線基板や半導体装置等の多層パターンの形成方法に関し、特に従来のフォトリソ法において工程中のストレスによるマスクや基板材料又は導体層等の熱膨張係数の相違から生じる寸法ずれによって電気的接続性が不安定になり信頼性を低下させるという課題を解決し、低コストで信頼性に優れた電子部品を生産することができる多層配線パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 支持基板102の表面の第1の配線パターン104aの位置及び形状を電子式カメラ25により認識した後、絶縁層106を塗布し、認識した第1の配線パターン104aの画像情報に基づきレーザ加工機107を用いてバイアホール108を設け、さらに絶縁層106の上面に配置された第2の導体層110に同じく画像情報に基づき、第1の配線パターン104aに対応した第2の配線パターン113をレーザ直接描画機32によって形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁層を介して配線等のパターンが多層形成された構造を有する電子部品の多層パターン形成方法において、既に形成されているパターンの位置および形状等を認識して前記既形成パターンに対応して次層のパターンを適正な位置及び形状に形成する多層パターン形成方法。
FI (2件)：
H05K 3/46 W
, H05K 3/46 Z
