記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263398
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102326
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 SDRAMおよびEDO付きDRAMの連続転送機能を使用した記憶装置の誤り検出/訂正方式において、ECC単位を読み書き単位より大きく取り、データ・ビット数と検査ビット数との割合を改善し、かつ単一記憶素子故障を完全救済するという誤り検出/訂正機能を実現することにある。【解決手段】記憶装置1は、書き込みデータ100をN個格納する書き込みデータ格納レジスタ101乃至10nと、データN個にECCを生成するECG回路2と、データにECCのN等分コードを付加したデータを記憶素子4に書き込むセレクタ回路3と、記憶素子4の読み出しデータN個を格納する読み出しデータ格納レジスタ201乃至20nと、読み出しデータN個の全体のN等分コードを集めてなるECCコードで誤りを検出する誤り検出回路5と、誤り検出回路5の出力で読み出しデータ全ての誤り訂正する誤り訂正回路6と、を備える。

請求項（抜粋）：

データに対する誤り訂正コードを生成し、前記データに前記誤り訂正コードを付加して読み書き単位とする記憶装置において、前記データのN個分を単位として誤り訂正コードを生成し、前記データに前記誤り訂正コードのN等分コードを付加した読み書き単位を、記憶素子の連続Nアドレスに連続読み書きすることを特徴とする記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭57-100698
特開昭57-055455

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