特許
J-GLOBAL ID：200903071659547139
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-160922
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321265
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 複数のフォトダイオードを有するフォトICにおいて、フォトダイオード間のクロストークをほぼ完全に防止する。【解決手段】 p型半導体基板1上にn- 型エピタキシャル成長層2を設け、その中にp型半導体基板1に達するp+ 型アイソレーション領域3を設けて複数の領域に分割する。p+ 型アイソレーション領域3により分割された少なくとも一つの部分のn- 型エピタキシャル成長層2の下側にp+ 型埋め込み層4をp+型アイソレーション領域3と接続されるように設け、n- 型エピタキシャル成長層2とp+ 型埋め込み層4およびp+ 型アイソレーション領域3とによりフォトダイオードを構成する。このフォトダイオードにおいて、p+ 型埋め込み層4の下側の部分に、クロストークの原因となる浮遊キャリアを吸い込むためのn+ 型半導体領域6を設ける。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基体と、上記第1導電型の半導体基体上に互いに分離して設けられた複数のフォトダイオード構成用の第2導電型の半導体層と、少なくとも一つの上記第2導電型の半導体層の下側の部分に設けられ、かつ、上記第1導電型の半導体基体よりも高不純物濃度の第1導電型の第1の半導体領域とを有し、上記第1導電型の第1の半導体領域が設けられた上記第2導電型の半導体層の部分においては上記第2導電型の半導体層と上記第1導電型の第1の半導体領域とによりフォトダイオードが構成されている半導体装置において、上記第1導電型の第1の半導体領域の下側の部分に浮遊キャリアを吸い込むための第2導電型の第2の半導体領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/14
, H01L 21/761
, H01L 31/10
H01L 27/14 Z
, H01L 21/76 J
, H01L 31/10 A
