特許

J-GLOBAL ID：200903071677694653

半導体装置およびその作製方法

発明者： 寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-142880
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333824
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 結晶シリコン膜中の金属元素の影響を低減する。【構成】 基板101上にPSG膜99を設け、さらに絶縁膜102を設け、さらにアモルファスシリコン膜104を設け、さらに100の領域に金属元素を導入し、この金属元素を触媒材料として、600°C以下の温度でシリコン膜104を結晶化させる。この際、PSG膜99の作用で、金属元素をゲッタリングし、その影響を低減する。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられたPSG膜と、該PSG膜上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた結晶シリコン膜と、を有した半導体装置であって、前記結晶シリコン膜中には、該結晶シリコン膜の結晶化を助長するための金属元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784