特許

J-GLOBAL ID：200903071687388461

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 田 浦 忠 行
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-066108
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342598
出願日： 1994年04月04日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 チップ面積の増大を可及的に防止するとともに、待機状態から動作状態に変化した場合の読み出しを高速を行うことを可能にする。【構成】 不揮発性トランジスタからなるメモリセルが行列状に配列されたメモリセルアレイと、トランジスタ構造をもつダミーセルと、選択されたメモリセルに所定の電位を与え、このメモリセルに流れる電流に基づいてメモリセルに記憶されているデータに対応する読み出し電位を発生させる読み出し電位発生手段6と、ダミーセルに所定の電位を与え、このダミーセルに流れる電流に基づいて基準電位を発生する基準電位発生手段8と、待機状態から動作状態に変化してから所定時間経過した時に基準電位を一定時間低下させる基準電位低下手段9と、読み出し電位と基準電位とを比較し、その比較結果に応じた出力を増幅して出力する増幅手段10と、を備えている。基準電位低下手段9に代えて、又はこれに加えて、待機状態から動作状態に変化してから所定時間経過するまでの間に読み出し電位を急速に充電する読み出し電位初期充電手段11を設けても良い。

請求項（抜粋）：

不揮発性トランジスタからなるメモリセルが行列状に配列されたメモリセルアレイと、トランジスタ構造をもつダミーセルと、選択されたメモリセルに所定の電位を与え、このメモリセルに流れる電流に基づいて前記メモリセルに記憶されているデータに対応する読み出し電位を発生する読み出し電位発生手段と、前記ダミーセルに所定の電位を与え、このダミーセルに流れる電流に基づいて基準電位を発生する基準電位発生手段と、待機状態から動作状態に変化してから第1の所定時間だけ経過するまでの間に前記基準電位を低下させる基準電位低下手段と、待機状態から動作状態に変化してから第2の所定時間が経過した後に、前記読み出し電位と前記基準電位を比較し、その比較結果に応じた出力を増幅して出力する増幅手段と、を備えていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

G11C 17/00 520 C ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-017297
  
• 特開昭63-313397
  
• 特開平4-228193
  
• 特開平4-155698