特許
J-GLOBAL ID：200903071689621031
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-013398
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228290
出願日： 2003年01月22日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】半導体ウエハからより多数の半導体チップを取り出すことと、或いは、発光効率の高い半導体発光素子を従来よりも低コストで製造すること。【解決手段】半導体ウエハ10の上面(素子形成面)に、透明樹脂からなる保護膜6を樹脂塗布工程、樹脂硬化工程を経て形成する(図4(a))。次に、ビーム径約10μmのレーザービームを照射して、n層2の露出面より更に約50μm〜70μm程度深い連続線状の分離溝Sを形成した(図4(b))。この後、サファイア基板1の裏面11を研磨して薄肉化させ、100μm厚の薄肉化ウエハ10を得た。図4(c)の符号1aはこの研磨処理により得られた処理面を、符号1bはこの処理面上にスクライバーを用いて形成した分割線をそれぞれ示している。この様な工法により、分離溝の形成等によって無駄になるウエハの幅を少なくとも30〜40μm程度は削減することができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
結晶成長基板上に窒化物系の化合物半導体層を複数層積層することにより形成された半導体ウエハから複数の発光素子を取り出す半導体発光素子の製造方法であって、
前記半導体発光素子の負電極となる、前記半導体ウエハ上に形成された金属層上からレーザビームを照射することにより、前記半導体ウエハを複数の前記半導体発光素子に分割するための、連続線状、点線状、破断線状、又は十文字状の分離溝を形成するレーザ照射工程
を有する
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L33/00
, B23K26/00
, H01L21/301
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
, B23K26/00 D
, H01L21/78 B
4E068AD01
, 4E068DA10
, 5F041AA41
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041AA47
, 5F041CA40
, 5F041CA76
