特許

J-GLOBAL ID：200903071690457598

半導体装置用電極構造

発明者： 清水 尚博 ,  堀田 栄喜
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  堀田 栄喜
代理人 (1件)： 千葉 剛宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197399
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017512
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高周波電流の供給に伴う表皮効果を緩和することができ、半導体素子のデバイス領域全体に一様な電流を流すことができる半導体装置用電極構造を提供する。【解決手段】アノード主電極25Aは、抵抗率の異なる複数の部材B1〜Bnが組み合わされて構成されている。具体的には、中央に円筒状の第1部材B1(抵抗率=ρ1)が配置され、その周りに内径が第1部材B1の外径とほぼ同じとされた円環状の第2部材B2(抵抗率=ρ2>ρ1)が配置され、該第2部材B2の周りに内径が第2部材B2の外径とほぼ同じとされた円環状の第3部材B3(抵抗率=ρ3>ρ2)が配置され、以下同様に、第n-1部材Bn-1の周りに内径が第n-1部材Bn-1の外径とほぼ同じとされた円環状の第n部材Bn(抵抗率=ρn>ρn-1)が配置されて構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体素子の少なくとも片側に板状の電極を有する半導体装置用電極構造において、前記電極は、表皮効果抑制部材を有することを特徴とする半導体装置用電極構造。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 29/74

FI (2件)：

H01L 21/52 J ,  H01L 29/74 L

Fターム (7件)：

5F005BA01 ,  5F005DA02 ,  5F005GA02 ,  5F005GA04 ,  5F047JA02 ,  5F047JB02 ,  5F047JC02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 圧接形半導体装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-338834   出願人：東洋電機製造株式会社
• 特開昭58-023485
  
• 特開昭56-124238