特許
J-GLOBAL ID：200903071692261798
非晶質シリコン合金膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-269700
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109631
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】高い膜成長速度で良質の非晶質シリコン合金膜を形成する方法を提供する。【構成】減圧された雰囲気が調整できる真空容器の反応室1内に生起させたプラズマに原料ガスを供給し、原料ガスをプラズマにより反応させて基体10表面上に非晶質シリコン合金膜を製造する方法で、プラズマの生成している反応室1内の圧力を5Pa以下、発生させるシート状プラズマの中心部分の電子密度を1立方cm当たり1×10ー11以上、プラズマ中心部分の平均電子エネルギーを5eV以上とした非晶質シリコン合金膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
減圧された雰囲気が調整できる真空容器の反応室内に生起させたプラズマに原料ガスを供給し、前記原料ガスを前記プラズマにより反応させて基体表面上に非晶質シリコン合金膜を製造する方法において、前記プラズマの生成している反応室内の圧力を5Pa以下、プラズマ中心部分の電子密度を1立方cm当たり1×10ー11以上、プラズマ中心部分の平均電子エネルギーを5eV以上としたことを特徴とする非晶質シリコン合金膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
