特許
J-GLOBAL ID：200903071692334167

ナノ空間制御高分子イオン交換膜の製造方法

発明者：
吉田 勝

吉田 勝 について

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八巻 徹也

八巻 徹也 について

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浅野 雅春

浅野 雅春 について

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森田 洋右

森田 洋右 について


出願人/特許権者：
日本原子力研究所

日本原子力研究所 について


代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  桜井 周矩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-243541
公開番号（公開出願番号）：特開2006-008970
出願日： 2004年08月24日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】 高分子イオン交換膜における欠点であるイオン交換容量が小さく、かつ、耐酸化性や耐メタノール性が悪いことなどを解決課題とする。【解決手段】 基材とした高分子フィルムをイオン照射してナノサイズの貫通孔を多数あけ、さらにこれに電離性放射線を照射して官能性モノマーをフィルム表面や孔内にグラフトまたは共グラフトし、さらに、グラフト鎖へのスルホン酸基の導入することによって、優れた耐酸化性、寸法安定性、電気伝導性と耐メタノール性を有し、かつ、イオン交換容量が広い範囲内に制御された高分子イオン交換膜の製造法を確立した。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
高分子フィルム基材に高エネルギー重イオンを照射して照射損傷を形成した後、該照射損傷を化学的又は熱的にエッチング処理して、該フィルム基材に、基材表面における平均直径が10nm以上、数が104〜1014個/cm2の微細なシリンダー状の貫通孔を形成し、得られた穿孔フィルム基材に、スルホニルハライド基を有するモノマーである、CF2=CF(SO2X1)(式中、X1はハロゲン基で-F又は-Clである。以下同じ。)、CH2=CF(SO2X1)、CF2=CF(O(CF2)1〜4SO2X1)、及びCF2=CF(OCH2(CF2)1〜4SO2X1)からなる群から選択される1種類又は2種類以上のモノマーを加えて脱気し、γ線、X線、電子線の電離性放射線を照射することよって、該フィルム基材の表面や孔内に該モノマーをグラフト重合させ、グラフトした分子鎖中の[-SO2X1]基をスルホン酸塩基[-SO3M](式中、Mはアルカリ金属でNa又はKである。)とし、次いでスルホン酸基[-SO3H]とすることを特徴とする、高分子イオン交換膜の製造方法。
IPC (4件)：
C08J 7/18 ,  H01B 13/00 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10
FI (4件)：
C08J7/18 ,  H01B13/00 Z ,  H01M8/02 P ,  H01M8/10
Fターム (29件)：
4F073AA04 ,  4F073AA11 ,  4F073BA07 ,  4F073BA08 ,  4F073BA15 ,  4F073BA16 ,  4F073BA19 ,  4F073BA23 ,  4F073BA24 ,  4F073BA26 ,  4F073BA27 ,  4F073BA29 ,  4F073BA31 ,  4F073BA32 ,  4F073BA48 ,  4F073BB01 ,  4F073CA41 ,  4F073FA03 ,  4F073FA05 ,  4F073FA06 ,  4F073FA11 ,  4F073GA11 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB01 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18 ,  5H026HH04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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