特許

J-GLOBAL ID：200903071698358939

半導体装置およびその製造方法

発明者： 岩津 聡 ,  岩渕 寿章 ,  斎藤 隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120074
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311921
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 基板に対しバンプを介してチップを接合する半導体装置において、バンプ接合の信頼性を高めた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 金属バンプ(半田バンプ)16をウェーハ状態で形成する工程と、このウェーハ状態で半導体チップ21の配線面を保護する樹脂20をコーティングする工程と、前記半導体チップをウェーハから切り離す工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記金属バンプ16は、その根元部がくびれた形状で半導体チップ21の配線面に接合され、前記樹脂20は、前記金属バンプ16の根元部を覆ってコーティングされる。

請求項（抜粋）：

基板上に根元部がくびれた金属バンプが接合され、該金属バンプの根本部を覆ってこの基板上面が樹脂でコーティングされたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (6件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 602 G ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 D

Fターム (17件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA10 ,  4M109DB17 ,  4M109EE02 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR17 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA10 ,  5F061CB04 ,  5F061CB13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭58-046852
  
• 特公昭58-046852