特許
J-GLOBAL ID：200903071703776159
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276098
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124925
出願日： 1992年10月14日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】半導体基板上に半導体素子が形成され、層間絶縁膜によって保護される半導体装置の製造方法において、スピン・オン・グラス(SOG)中にあり素子特性に大きく影響することも知られているOH基の除去方法を提供する。【構成】ハロゲンガス雰囲気またはハロゲンイオン雰囲気中に露呈する工程を有する。ハロゲンガス及びイオン源として、Cl2,Br2,I2を、ハロゲン化イオン源としては、HCl,HBr,CCl4,CHCl3,SiCl4,SiHCl,BCl3を用いる。【効果】OH基がClイオン等に置換され電気的に且つ機械的に安定な膜となる。トランジスタ素子のしきい値電圧の変動、移動度の低下の防止、多結晶シリコンの抵抗値の低下防止等に有効である。酸化膜の質、耐湿性も向上しALの腐食による断線等の生じない高信頼性の平坦化が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に半導体素子が形成され、層間絶縁膜が形成される半導体装置において、1)半導体基板上に素子形成を行う工程と、2)絶縁膜を形成する工程と、3)絶縁膜を形成後、ハロゲンガス雰囲気中に露呈する工程からなる事を特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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