特許

J-GLOBAL ID：200903071716046109

窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法

発明者： 山田 孝夫 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-124889
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314821
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 p型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を低抵抗にすると共に、深さ方向均一に、選択的により低抵抗なp型層を得る。【構成】 p型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層表面に選択的に保護膜を形成した後、その窒化ガリウム系化合物半導体層を400°C以上でアニーリングすることにより低抵抗にすると共に、同一窒化ガリウム系化合物半導体層に抵抗率の差を設ける。

請求項（抜粋）：

p型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層表面に選択的に保護膜を形成した後、その窒化ガリウム系化合物半導体層を400°C以上でアニーリングすることにより低抵抗にすると共に、同一窒化ガリウム系化合物半導体層に抵抗率の差を設けることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324