特許
J-GLOBAL ID：200903071716195570
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-314360
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152576
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置に関し、ゲート電極自体に電荷を蓄積する形式の半導体装置を簡単な構成を採ることで容易に得られるように、しかも、優れた特性をもつようにしようとする。【構成】 Si半導体基板11上にSiO2 からなるゲート絶縁膜12及びポリアセチレンからなるフローティング・ゲート電極13及びAuからなるコントロール・ゲート電極14を順に形成し、ゲート絶縁膜12下のp-Si半導体基板11表面に生成されるチャネル領域を挟んで対向するソース領域15及びドレイン領域16を備えてなる。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板上に順に形成されたゲート絶縁膜及びポリアセチレンからなるフローティング・ゲート電極及びコントロール・ゲート電極と、該ゲート絶縁膜下の該一導電型半導体基板に生成されるチャネル領域を挟んで対向する反対導電型ソース領域及び反対導電型ドレイン領域とを備えてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
