特許
J-GLOBAL ID：200903071719095666
二次元荷電粒子検出装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280319
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095129
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】 高感度でダイナミックレンジの大なる固体撮像素子を用いた二次元荷電粒子検出装置を提供する。【構成】 N型半導体基板1の表面部にP型拡散層2を形成し、この表面に、保護絶縁膜3の窓開け部3aを介して、拡散層2とオーミック接触を形成するAl等からなる下部電極層4bと、二次電子放出率の高いCuBe,AgMg等からなる上部電極層4aとで構成した電極部を設ける。
請求項（抜粋）：
P-N接合部にオーミック接触を保った上部電極部を設けた二次元固体撮像素子を用い、荷電粒子を該固体撮像素子の前記電極部に入射させ検出するようにした二次元荷電粒子検出装置において、前記電極部を少なくとも2種類以上の異なる材料よりなる2層以上の複数電極層構造としたことを特徴とする二次元荷電粒子検出装置。
IPC (4件)：
H01L 31/09
, H01J 37/244
, H01L 27/146
, H01L 31/10
H01L 31/00 A
, H01L 27/14 A
, H01L 31/10 A
