特許
J-GLOBAL ID:200903071719623549
太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
絹谷 信雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-025273
公開番号(公開出願番号):特開平7-235684
出願日: 1994年02月23日
公開日(公表日): 1995年09月05日
要約:
【要約】【目的】 太陽電池の受光面に形成される反射防止膜を改善し、高効率の太陽電池を実現する。【構成】 半導体層(AlGaAs層)2の受光面2aにTiO2 層3を形成した後更にSiON層4を積層して二層構造の反射防止膜5を形成する。その際、AlGaAs層2の屈折率 3.5に対し、TiO2 層3の屈折率を厚さ方向に 3.3から2.4 まで、SiON層4の屈折率を同じく 2.3から 1.4まで変化させる。これにより反射防止膜5とAlGaAs層2との界面での屈折率差が 0.5以下、反射防止膜5の光入射面5aの屈折率が1.3 〜1.6 、反射防止膜5の各層3.4間の界面での屈折率差が 0.3以下に抑えられ、広い波長域で反射率を大幅に低減し、変換効率を大幅に向上できる。
請求項(抜粋):
半導体層の受光面に反射防止膜を形成してなる太陽電池において、上記反射防止膜の屈折率をその光入射面から上記半導体層との界面にかけて膜厚方向に連続的に増大させてなることを特徴とする太陽電池。
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭60-208813
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特開昭63-071801
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特開昭57-192085
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