半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-029178
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229187
出願日： 1997年02月13日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極とソース、ドレイン領域を同時に選択シリコン成長によりせり上げる工程を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、ゲートとソースもしくはドレイン間のリーク電流が発生するという問題があった。【解決手段】ゲートサイドウォール絶縁膜の上部に平坦部を形成する。

請求項（抜粋）：