特許
J-GLOBAL ID：200903071725737815
導電性被覆を有する黒色マトリックス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-541765
公開番号（公開出願番号）：特表2001-519964
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：
【要約】平坦パネルディスプレーデバイスの面板(104)上のサブピクセル(106)の縦列と横列を分離するために導電性被覆されたマトリックス構造を形成する方法。その1つの実施態様は、ホトレジスト物質(108)を、非導電性不透明マトリックス構造(100)を形成された面板(104)の内側面(10)上に、前記マトリックス構造によって相互に分離されたサブピクセル領域(106)の中に堆積させる。前記ホトレジスト物質を乾燥させ、また前記サブピクセル領域中において前記面板の外側面からの光(112)に露出する。前記光に露出されなかった前記ホトレジスト物質(110)を除去した後に、前記面板の内側面上にアルミニウムを蒸着させて、前記マトリックス構造と前記ピクセル領域中に存在する前記ホトレジスト物質の露光層とをアルミニウムの導電性層によって被覆する。次に、前記サブピクセル領域中に堆積され露光されたホトレジスト物質に対してエッチング剤を加えて前記露光されたホトレジスト物質とその上に堆積されたアルミニウムの導電性性層とを前記サブピクセル領域から除去し、前記導電性アルミニウム層を前記マトリックス構造の上のみに残存させ、サブピクセル領域を被覆しないようにする。
請求項（抜粋）：
平坦パネルディスプレーデバイスの面板上のサブピクセルの縦列と横列を分離するために導電性被覆されたマトリックス構造を形成する方法において、前記方法は、 a)非導電性マトリックス構造を形成された面板の内側面上にホトレジスト物質を堆積させ、前記ホトレジスト物質を前記マトリックス構造によって相互に分離されたサブピクセル領域の中に堆積させる段階と、 b)前記ホトレジスト物質を乾燥させて、前記ホトレジスト物質の乾燥された層を前記面板の前記内側面上の前記サブピクセル領域の中に形成させる段階と、 c)前記ホトレジスト物質を前記面板の外側面からの光に露出して、前記ホトレジスト物質の露出された層を硬化させ前記面板の前記内側面上に固着させる段階と、 d)前記光に露出されなかった前記ホトレジスト物質を除去する段階と、 e)前記面板の内側面上にアルミニウムを蒸着させて、前記マトリックス構造と前記ピクセル領域中に存在する前記ホトレジスト物質の前記露光層とをアルミニウムの導電性層によって被覆する段階と、 f)前記サブピクセル領域中に堆積された前記の露光されたホトレジスト物質に対してエッチング剤を加えて前記露光されたホトレジスト物質とその上に堆積されたアルミニウムの導電性性層とを前記サブピクセル領域から除去し、前記導電性アルミニウム層を前記マトリックス構造の上のみに残存させる段階とを含む方法。
IPC (6件)：
H01J 9/227
, G03F 7/40 521
, G09F 9/30 349
, H01J 1/74
, H01J 29/32
, H01J 31/12
H01J 9/227 D
, G03F 7/40 521
, G09F 9/30 349 C
, H01J 1/74
, H01J 29/32
, H01J 31/12 C
