特許

J-GLOBAL ID：200903071728013508

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 田中 武 ,  河内 玄士朗 ,  小野 記久雄 ,  小川 和宏 ,  品川 陽明 ,  阿須間 宏明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 平木 道人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132338
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326314
出願日： 1993年05月12日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 ドレイン電流の経路を低抵抗化してオン電流を増加させる。【構成】 ガラス基板50上にはゲート電極10が形成され、ゲート電極10上にはゲート絶縁膜20および非晶質Si層30が形成されている。Si層30上にはソース電極15Sおよびドレイン電極15Dが形成され、これら全てを保護するように保護絶縁膜23が形成されている。Si層30の少なくとも一対の互いに対向する端部には、P(リン)が導入されたn型ドープ領域32が形成されている点に特徴がある。n型ドープ領域32は、Si層30のゲート絶縁膜20との界面近傍に形成されるチャネル反転層30aと、ソース/ドレイン電極15とを相互にオーミック接触させるように機能する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上の一部に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された半導体活性層と、半導体活性層の少なくとも一対の互いに対向する端部に形成されたオーミックコンタクト領域と、前記対向する端部に形成された各オーミックコンタクト領域と接触するように形成された一対のソース/ドレイン電極とを具備したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 S ,  H01L 29/78 311 P