特許

J-GLOBAL ID：200903071729755869

化合物半導体膜の形成方法及び発光素子

発明者： 菅 康夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-259723
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097355
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 結晶成長中の過度の温度上昇による表面荒れを防ぎつつ、結晶成長層の結晶性を出来る限りよくする。【解決手段】 MBE装置を用いて、基板上に化合物半導体膜を形成する際、所望のシャッタの開閉に応じて対象基板の温度を変化させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

MBE装置を用いて、基板上に化合物半導体膜を形成する際、所望のシャッタの開閉に応じて対象基板の温度を変化させることを特徴とする化合物半導体膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/40 502 K ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/18