特許

J-GLOBAL ID：200903071732802134

半導体発光装置およびその製造方法

発明者： 北川 治
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-034168
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223390
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 逆方向電圧や静電気等による発光ダイオードの破壊を防ぐための保護用ダイオードを備えた半導体発光装置において、小型化を図り、光の取り出し効率を向上させる。【解決手段】 保護用ダイオード2上に接着剤4等により発光ダイオード1を固定して、両者を同一フレーム8上に搭載する。発光ダイオード1は発光面側を上にして保護用ダイオード2上に固定する。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1導電型半導体層と第2導電型半導体層を含む半導体積層構造を備えた発光ダイオード素子と、該発光ダイオード素子が逆方向電圧またはサージ電圧により破壊されるのを防ぐための保護用素子とを備え、該保護用素子上に、該発光ダイオード素子が発光面側とは反対側の面を該保護用素子側に配して固定されている半導体発光装置。

FI (2件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 J

Fターム (12件)：

5F041AA21 ,  5F041CA02 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041DA02 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA17 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DA83 ,  5F041DB09