特許

J-GLOBAL ID：200903071737307913

半導体レーザ装置

発明者： 岩井 則広 ,  向原 智一 ,  横内 則之 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-312098
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135884
出願日： 1999年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 レーザ素子の諸特性に影響を与えることなく、温度変化に依存することのないほぼ一定の光出力を安定に得ることのできる簡易な構造の半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 内部にレーザ素子1を封入したパッケージ2の上記レーザ素子に対向する部位に設けられた光出射窓25に、反射率または透過率が波長依存性を有する膜26を設ける。特に波長依存性を有する反射膜として所定の波長領域において波長が長くなるに従って反射率が低下するレーザ光反射膜を用い、また波長依存性を有する透過膜として所定の波長領域において波長が長くなるに従って透過率が高くなるレーザ光透過膜を用いる。

請求項（抜粋）：

内部にレーザ素子を封入したパッケージの上記レーザ素子に対向する部位に設けられた光出射窓に、反射率または透過率が波長依存性を有する膜を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (5件)：

5F073AB16 ,  5F073AB25 ,  5F073EA15 ,  5F073FA13 ,  5F073FA30