特許

J-GLOBAL ID：200903071741929180

電界放射電子源の製造方法

発明者： 多嶋 勉 ,  柿沼 弘明 ,  毛利 幹雄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196520
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064124
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 電界放射電子源において、エミッタ先端をより先鋭にしさらにゲート電極及びエミッタ先端間の距離をより短縮する。【構成】 SiOXマスク14を介しSi基板10をエッチングしてエミッタ16を形成した後、基板10表面を熱酸化してSiOX膜18を形成する。次にマスク14を残存させたまま、SiOX膜18上にマグネトロンスパッタ法によりSiNX膜20を積層する。これによりエミッタ先端に対応する領域は露出させながらSiNX膜20をエミッタ先端に極めて近い領域まで積層できる。次にSiNX膜20を介しSiOX膜18をエッチングしエミッタ先端を露出させる。次にエミッタ先端にSiOX熱酸化膜を形成し、然る後、SiNX膜20上に電極材料を積層する。次にエミッタ先端のSiOX熱酸化膜をエッチング除去し、エミッタ先端を露出させると共に電極材料をリフトオフする。

請求項（抜粋）：

下地上にエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスクを介し下地をエッチングして錐状のエミッタを形成する工程と、エミッタを含む下地の表面を熱酸化して、第一のゲート絶縁膜を形成する工程と、エッチングマスクを残存させたまま、第一のゲート絶縁膜上に、気相成長法により第二のゲート絶縁膜を積層する工程と、第二のゲート絶縁膜を介しエミッタ先端部分に対応する領域の第一のゲート絶縁膜をエッチングして、エミッタ先端部分を露出させる工程と、露出させたエミッタ先端部分の表面を熱酸化して熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜の形成及びエッチング除去をn回(nは自然数)行なうと共に、第n回目の熱酸化膜の形成を終えたら第二のゲート絶縁膜上に電極材料を積層し、然る後、第n回目の熱酸化膜のエッチング除去を行なってゲート電極を形成する工程とを含んで成ることを特徴とする電界放射電子源の製造方法。