特許

J-GLOBAL ID：200903071742264742

半導体分布帰還型レーザ装置

発明者： 井上 武史
出願人/特許権者： 光計測技術開発株式会社
代理人 (1件)： 井出 直孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199454
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048193
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 利得結合による分布帰還が行われる半導体分布帰還型レーザ装置における利得結合の大きさを利得とは別に制御する。【構成】 利得に周期性を設けた活性層7とは別に、同一光導波路内に第二の活性層12を設け、二つの活性層7、12にそれぞれ注入する電流により利得を制御し、利得に周期性を設けた側の活性層7に注入する電流により利得結合の大きさを制御する。

請求項（抜粋）：

電流注入による発光利得がその発振波長に対応する周期で変化するように設定された第一の活性層を半導体光導波路内に備えた半導体分布帰還型レーザ装置において、前記半導体光導波路内にはさらに、前記第一の活性層との間で互いに光が結合する位置に第二の活性層を備え、この第二の活性層に注入する電流と前記第一の活性層に注入する電流とにより利得を制御し、前記第一の活性層に注入する電流により利得結合の大きさを制御する手段を備えたことを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。