特許

J-GLOBAL ID：200903071744485800

半導体装置の製造方法

発明者： 相馬 忠昭
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-281279
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093711
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 従来、ウエファに裏張金属を蒸着する工程では金属とシリコンのせん膨張係数の違いから、金属の引っ張り応力によりウエファに反りが生じ、ウエファの搬送やMPC時の真空チャックおよび組み立て工程でのダイシング作業などにおいてウエファの割れが発生する大きな原因となっていた。【解決手段】 本発明は、真空蒸着装置のプラネタリに装着したスプリング付きのステーによりウエファに金属の引っ張り応力とは逆のテンションを加え、その状態で真空蒸着を行うものである。これによりそれぞれの力が相殺し、反りのないウエファを完成させることができ、ウエファ割れを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

蒸着装置によりウエファの裏面に金属を蒸着する工程を有する半導体装置の製造方法において、ウエファの裏面を凸状に反らせて前記金属の蒸着をすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/24 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

H01L 21/203 Z ,  C23C 14/14 B ,  C23C 14/24 H ,  H01L 21/285 P

Fターム (13件)：

4K029AA24 ,  4K029BA03 ,  4K029BD01 ,  4K029DB03 ,  4K029JA03 ,  4M104BB02 ,  4M104DD34 ,  4M104HH20 ,  5F103AA01 ,  5F103BB34 ,  5F103DD28 ,  5F103HH03 ,  5F103RR06