特許

J-GLOBAL ID：200903071748888160

半導体装置及びその解析方法

発明者： 吉田 映二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-061638
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261246
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の故障箇所をより詳細に突き止めるための構造を提供する。【解決手段】 n+不純物領域3及びp+不純物領域4は互いに接続され、かつ周辺回路50に接続されている。また、ゲート電極1,10は互いに接続され、かつ周辺回路50に接続されている。そしてn+不純物領域2とp-ウェル領域6とはグランド電位8が印加されており、p+不純物領域5とn-ウェル領域7とは電源電位9が印加されている。n+不純物領域23及びp+不純物領域24は互いに接続され、かつ金属配線31によってゲート電極10と接続されている。p-ウェル領域26はグランド電位8が印加されており、n-ウェル領域27は電源電位9が印加されている。

請求項（抜粋）：

電位変動が測定されるべき被測定箇所と、一端と、前記被測定箇所に接続される他端とを有する配線と、前記配線の前記一端に接続される観測部とを備え、前記観測部はレーザービームが照射されて前記電位変動が検出されるpn接合を有し、前記pn接合は、前記配線の前記一端に接続される第1導電型の第1不純物領域と、第2導電型の第2不純物領域とを含む半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/302 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (9件)：

G01R 1/06 F ,  H01L 21/66 C ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 V ,  H01L 27/04 T ,  G01R 31/28 L ,  H01L 27/08 321 J ,  H01L 27/08 321 Z ,  H01L 29/78 301 T

Fターム (31件)：

2G011AA01 ,  2G011AE00 ,  2G132AA00 ,  2G132AD01 ,  2G132AF14 ,  2G132AK07 ,  2G132AL11 ,  2G132AL12 ,  4M106AB01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA08 ,  4M106DD08 ,  4M106DH13 ,  4M106DH32 ,  5F038AV06 ,  5F038CA04 ,  5F038DT10 ,  5F038DT11 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA00 ,  5F048AB02 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BC01 ,  5F048BE03 ,  5F140AA37 ,  5F140AB03 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140CB08