特許

J-GLOBAL ID：200903071749466472

電界効果トランジスタ

発明者： 末光 哲也 ,  横山 春喜
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 小林 茂 ,  和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-257508
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073659
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】高速、高周波動作に優れ、長期信頼性にも優れたInP基板上電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】半絶縁性InPの基板1上に、i-InAlAsのバッファ層2、i-InGaAsのチャネル層3、一部にn型ドーピングを施されたi-In0.4Al0.6As0.9Sb0.1のキャリア供給層7、i-InAlAsのバリア層5、n-InGaAsのキャップ層6を、この順序で順次エピタキシャル成長してなる半導体ヘテロ構造を有する電界効果トランジスタを構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

InP基板上に、InAlAsバッファ層、InGaAsチャネル層、少なくとも一部にn型ドーピングを施されたキャリア供給層、InAlAsバリア層、n型ドーピングを施されたInGaAsキャップ層を、この順序で順次エピタキシャル成長してなる半導体ヘテロ構造を有する電界効果トランジスタにおいて、前記キャリア供給層が、0.6≦x<1、0<y<1としたときにIn1-xAlxAs1-ySbyで表される組成を持ち、InPの格子定数に等しい格子定数を持つ化合物半導体からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (13件)：

5F102FA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01