特許
J-GLOBAL ID：200903071752059276
電子放出素子、電子源基板および画像形成装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-044095
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219149
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 低コストでかつ容易に大面積に表面伝導型電子放出素子を形成する。【解決手段】 一対の素子電極2,3間を連絡する導電性薄膜4の一部に電子放出部5を形成された電子放出素子を製造する方法において、絶縁性基板1上に絶縁層6を介して互いに交差する一対の素子電極2,3を形成し、該交差部において該交差部上側の素子電極2および前記絶縁層6に該交差部下側の素子電極3まで到達する凹部9を形成し、該凹部内に導電膜形成材料を含む溶液を液滴の状態で付与することにより、前記導電性薄膜4を形成する。
請求項（抜粋）：
一対の素子電極間を連絡する導電性薄膜の一部に電子放出部を形成された電子放出素子を製造する方法において、絶縁性基板上に絶縁層を介して互いに交差する一対の素子電極を形成し、該交差部において該交差部上側の素子電極および前記絶縁層に該交差部下側の素子電極まで到達する凹部を形成し、該凹部内に導電膜形成材料を含む溶液を液滴の状態で付与することにより、前記導電性薄膜を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, B41J 2/01
, H01J 1/30
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 B
, B41J 3/04 101 Z
