不揮発性記憶素子およびこれを利用した不揮発性記憶装置、ならびに不揮発性記憶装置の駆動方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127763
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326977
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【構成】シリコン基板43に、チャネル領域40を挟んでソース領域41およびドレイン領域42を形成し、チャネル領域40上に強誘電体ゲート膜44を形成し、強誘電体ゲート膜44上にゲート電極45を形成し、ゲート電極45上にゲート配線46を形成し、ゲート電極45のドレイン領域42およびソース領域41側に、導電性物質からなるサイドウォール49,50を、ゲート電極45、強誘電体ゲート膜44および半導体基板43に対して絶縁状態で形成し、サイドウォール49にゲート配線46を接続して、MFSFET30を構成した。【効果】ゲートに低電圧が、ドレインに書込禁止電圧が印加されても、サイドウォール49のトランジスタ部はONせず、ドレインの書込禁止電圧は、ドレイン側のオフセット領域により遮断され、強誘電体ゲート膜44の分極が変化しない。

請求項（抜粋）：

チャネル領域を挟んでソース領域およびドレイン領域が形成された半導体基板と、上記チャネル領域上に形成された強誘電体ゲート膜と、上記強誘電体ゲート膜上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極上に形成されたゲート配線と、上記ゲート電極のドレイン領域側に、ゲート電極、強誘電体ゲート膜および半導体基板に対して絶縁状態で形成された導電性物質からなる書込用サイドウォールと、上記ゲート電極のソース領域側に、ゲート電極、強誘電体ゲート膜および半導体基板に対して絶縁状態で形成された導電性物質からなる読出用サイドウォールとを備え、上記書込用サイドウォールは、ゲート配線に接続されていることを特徴とする不揮発性記憶素子。

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 11/401

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , G11C 11/34 361

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