電界放射型冷陰極の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永田武三郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-208643
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036345
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】保護抵抗の均一性に優れ、下地の影響を受けないフィールドエミッタ構造の作製を可能とする電界放射型冷陰極の作製方法を提供する。【構成】シリコン基板10上にまず抵抗層となる1層目のエピタキシャルシリコン層11を成長させ、次に導電層(エミッタ形成部)となる2層目のエピタキシャルシリコン層12を成長させ、シリコン窒化膜14/シリコン酸化膜13をエピタキシャル層上に部分的に堆積し、これをマスクとしてエピタキシャル層のエッチングを行ない、マスク下のエピタキシャル層を小尖状のエミッタ15とする。【効果】製造装置ならびにエピタキシャル成長プロセスの最適化によって、素子特性に合った抵抗値をもった抵抗層を、膜厚および抵抗値の均一性よく設けることができる。したがってアレイ構成フィールドエミッタにおける各エミッタの特性の均一性の向上が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にエピタキシャル層を形成する工程と、前記エピタキシャル層上に部分的にマスクを形成する工程と、前記マスク形成後に前記エピタキシャル層のエッチングを行ない、マスク下のエピタキシャル層を小尖状にする工程とを含むことを特徴とする電界放射型冷陰極の作製方法。

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