特許

J-GLOBAL ID：200903071759074785

配線形成方法

発明者： 星野 和弘 ,  佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-214213
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036627
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 バリヤメタル構造を有する高アスペクト比のコンタクト部にAl系材料を均一かつ高速に埋め込み、信頼性を向上させる。【構成】 SiO2 層間絶縁膜3に開口されたコンタクト・ホール3aを、Ti層4,TiOx Ny 層5,TiNx 層6の3層からなるバリヤメタル7で被覆した後、高温スパッタリング法によりAl-1%Si層8で埋め込む。酸素を含まないTiNx 層6をバリヤメタルの最上面とすることでAl-1%Si層8に対して高い濡れ性が達成され、鬆(す)を発生させずに高速な埋め込みが可能となる。この高速成膜により脱ガス成分の取り込みが減少し、エレクトロマイグレーション耐性が向上する。また、TiNx の粒界に酸素を偏析させた構造を有するTiOxNy 層5を配することにより、高いバリヤ性も達成される。

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁膜に開口された接続孔の少なくとも底面および側壁面にチタン層、酸窒化チタン層、窒化チタン層がこの順に積層されてなるバリヤメタルを形成する工程と、前記基板を加熱しながら少なくとも前記接続孔を充填するごとくアルミニウム系材料層を形成する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28