特許
J-GLOBAL ID：200903071759913345
金属薄膜積層セラミックス基板
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-325169
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177494
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【構成】 セラミックス基板12の上に、順次周期表第IVA族あるいはMoを除くVIA族から選ばれた1種以上の元素からなる第1金属薄膜層13、Cr、Wを除く周期表第VIA族あるいはNiから選ばれた1種以上の元素からなる第2金属薄膜層14、周期表IB族から選ばれた1種以上の元素からなる第3金属薄膜層15、第2金属薄膜層と同じ元素からなる第4金属薄膜層16、第3金属薄膜層と同じ元素からなる第5金属薄膜層17が積層されている金属薄膜積層セラミックス基板11。【効果】 ピール試験において3kg/mm2 以上の膜密着強度を有し、熱衝撃を受けても膜密着強度の変化しない金属薄膜積層セラミックス基板を提供することができる。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板の上に金属薄膜が複数層積層された金属薄膜積層セラミックス基板において、前記セラミックス基板の上に周期表第IVA族あるいはMoを除く第VIA族から選ばれた1種以上の元素からなる第1金属薄膜層、該第1金属薄膜層の上にCr、Wを除く周期表第VIA族あるいはNiから選ばれた1種以上の元素からなる第2金属薄膜層、該第2金属薄膜層の上に周期表IB族から選ばれた1種以上の元素からなる第3金属薄膜層、該第3金属薄膜層の上に前記第2金属薄膜層と同じ元素からなる第4金属薄膜層、該第4金属薄膜層の上に前記第3金属薄膜層と同じ元素からなる第5金属薄膜層が積層されていることを特徴とする金属薄膜積層セラミックス基板。
IPC (4件)：
H05K 1/09
, H01L 23/12
, H05K 3/38
, H05K 3/24
