特許
J-GLOBAL ID：200903071764463790
半導体光増幅素子およびその使用法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-095785
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267795
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 複数の増幅領域を有しその内の少なくとも1つは増幅時の電圧変化を検知する領域になっている半導体光増幅素子及びその使用法である。【構成】 半導体レーザ構造を用いた半導体光増幅素子において、増幅領域が光の進行する方向に、少なくとも2つ以上の領域に分離溝15で電気的にだけ分離されている。増幅光の波長検知領域である増幅領域が、任意の波長範囲に利得を有する量子井戸を基調とする第2活性層で構成されていて、他の増幅領域が、第2活性層の利得を有する波長範囲を、任意の注入電流12で利得波長範囲に含むことができるバルク結晶の第1活性層3aから構成されている。第1活性層3aで増幅された入力光は、第2活性層の波長検知領域に入り、そこで電圧変化を起こして、その増幅光の波長が知られる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ構造を用いた半導体光増幅素子において、増幅領域が光の進行する方向に少なくとも2つ以上の領域に電気的にだけ分離されていて、少なくとも1つの分離された増幅領域が、任意の波長範囲に利得を有する第1の活性層で構成されていて、他の増幅領域が、上記第1の活性層の利得を有する波長範囲を、任意の注入電流で利得波長範囲に含むことができる第2の活性層から構成されていることを特徴とする半導体光増幅素子。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
