特許
J-GLOBAL ID：200903071764932617
MISトランジスタのパラメータ抽出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307419
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145459
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 gm およびgdsを計算することが可能なMISトランジスタのパラメータの抽出方法の提供。【解決手段】 本発明によるMISトランジスタのパラメータ抽出方法は、トランジスタの静特性を測定することにより寄生抵抗および実行チャネル長L、ゲート電圧VGSを一定としてドレイン電圧VDSを変化させたときのドレイン電流を測定し、この測定結果と予め求められた係数とに基づいて所定のモデル式を用いて移動度μeff の逆数を求め、移動度μeff の逆数と縦方向の電界VDS/Lとの関係を表す第1のグラフを作成するステップと、第1のグラフの変曲点の電界値ETRD 、低ドレイン電圧での移動度μs 、および電子の飽和速度を求め、縦方向の電界の全ての領域において移動度μeff の逆数が微分可能となるμeff -1の関数表示を決定するステップと、を備えている。
請求項（抜粋）：
MISトランジスタの静特性を測定することにより寄生抵抗および実行チャネル長Lを求める第1のステップと、しきい値VTHを表すモデル式中の係数を決定する第2のステップと、ゲート電圧VGSを一定としてドレイン電圧VDSを変化させたときのドレイン電流を測定し、この測定結果と第2のステップで求められた係数とに基づいて所定のモデル式を用いて移動度μeff の逆数を求め、移動度μeff の逆数と縦方向の電界VDS/Lとの関係を表す第1のグラフを作成する第3のステップと、前記第1のグラフの変曲点の電界値ETRD 、低ドレイン電圧での移動度μs 、および電子の飽和速度を求め、縦方向の電界の全ての領域で移動度μeff の逆数が微分可能となるμeff -1の関数表示を決定する第4のステップと、ゲート電圧VGSを変えた場合のμs を求め、ToxをMISトランジスタのゲート絶縁膜厚さToxとしたとき、μs -1と表面電界(VGS-VTH)/Toxとの関係を表す第2のグラフを作成する第5のステップと、前記第2のグラフの変曲点の電界値ETRG 、ドレイン電圧およびゲート電圧が共に低い領域の電荷の移動度μo 、および表面電界が大きい領域における前記第2のグラフの傾きθ1 を求め、表面電界の全ての領域で移動度μs の逆数が微分可能となるμs -1の関数表示を決定する第6のステップと、ゲート電圧VGSを変えた場合のVmax を求め、Vmax -1と表面電界(VGS-VTH)/Toxとの関係を表す第3のグラフを作成する第7のステップと、前記第3のグラフからこの第3のグラフの傾きθ2 と表面電界が零のときのVmax の値Vmax0とを求める第8のステップと、ゲート電圧VGSを変えた場合の電界値ETRD を求め、ETRD と表面電界(VGS-VTH)/Toxとの関係を表す第4のグラフを作成する第9のステップと、前記第4のグラフの変曲点の電界値ETRG0、ドレイン電圧およびゲート電圧が共に低い領域の電界値ETRD0、および表面電界が大きい領域における前記第4のグラフの傾きθ3 を求め、表面電界の全ての領域において微分可能となるETRDの関数表示を決定する第10のステップと、を備えていることを特徴とするMISトランジスタのパラメータ抽出方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/00
H01L 29/78 301 Z
, H01L 29/00
