特許

J-GLOBAL ID：200903071772397445

薄膜磁気ヘッド用基板およびその製造方法

発明者： 木村 達哉
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-245334
公開番号（公開出願番号）：特開2004-086975
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】セラミック基板上に成膜するアモルファスアルミナ膜のCu不純物量が多く、素子を形成する際にの膜厚を高精度に制御できない。【解決手段】セラミック基板1の上面にアモルファスアルミナ膜2を成膜してなる薄膜磁気ヘッド用基板3であって、該アモルファスアルミナ膜2中のCu量が蛍光X線カウント比で0.04KCPS以下とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

セラミック基板の上面にアモルファスアルミナ膜を成膜してなる薄膜磁気ヘッド用基板であって、該アモルファスアルミナ膜中のCu量が蛍光X線カウント比で0.04KCPS以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド用基板。

IPC (2件)：

G11B5/39 ,  C23C14/08

FI (2件)：

G11B5/39 ,  C23C14/08 A

Fターム (10件)：

4K029AA04 ,  4K029BA44 ,  4K029BB10 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029EA01 ,  5D034BA02 ,  5D034BA16 ,  5D034DA05 ,  5D034DA07